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化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高性能的固體材料。因此，該制程通常在半導(dǎo)體工業(yè)中用于制造薄膜。

PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD的特色是預(yù)真空室和干泵裝置，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過程。

等離子沉積設(shè)備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。

SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

原子層沉積設(shè)備：真遠程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。